Исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
Наименование разработки: Структуры гетероэпитаксиальные теллурида кадмия-ртути дырочного типа проводимости, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Назначение разработки, решаемые задачи: Предназначенные для изготовления фоточувствительных элементов (ФЧЭ) фотоприемников специального и общего назначения
Стадия разработки: Промышленное производство
Обеспеченность сырьём и комплектующими: поставки из Китая
Обеспеченность научным и другим оборудованием: Обеспечены
Наличие инжиниринговой проработки и зарегистрированных РИД: Имеются
Контактная информация:
630090, г. Новосибирск, пр. Ак. Лаврентьева, 13
Телефон: +7(383) 330-90-55, Факс: +7(383) 333-27-71