Исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
Наименование разработки: Структуры гетероэпитаксиальные AlGaN/GaN на подложках SiC
Назначение разработки, решаемые задачи: Предназначенные для изготовления СВЧ транзисторов типа HEMT
Стадия разработки: Экспериментальный образец
Обеспеченность сырьём и комплектующими: Поставки из Китая и Японии
Обеспеченность научным и другим оборудованием: Обеспечены
Наличие инжиниринговой проработки и зарегистрированных РИД: Не имеются
Контактная информация:
630090, г. Новосибирск, пр. Ак. Лаврентьева, 13
Телефон: +7(383) 330-90-55, Факс: +7(383) 333-27-71