Исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук

Наименование разработки: Газоразрядные, эксимерные, СО2, НF лазеры c параметрами излучения: энергия (0.1-10) Дж, длительность (0.1 – 300) нс. Лазерные системы на их основе, имеющие на выходе мощное высококогерентное излучение. Твердотельные лазеры на кристаллах: Nd: YAG, Alexandrite, а также генерация их гармоник в УФ-диапазоне спектра

Назначение разработки, решаемые задачи: Разработка нового импортозамещающего оборудования для медицины, микроэлектрони ки, научных исследований

Стадия разработки: Опытные образцы

Обеспеченность сырьём и комплектующими: Использовалась Электронная компонентная база (ЭКБ) преимущественно иностранного  производства. Возможно использование ЭКБ отечественного производства

Обеспеченность научным и другим оборудованием: Использовалась Электронная компонентная база (ЭКБ) преимущественно иностранного  производства. Возможно использование ЭКБ отечественного производства

Наличие инжиниринговой проработки и зарегистрированных РИД: Патент РФ 206537

Контактная информация: 

634055, г. Томск, пр. Академический, 2/3

Телефон:+7(382-2) 49-15-44, Факс:+7(382-2) 49-24-10
contact@hcei.tsc.ru
http://www.hcei.tsc.ru