Исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
Наименование разработки: Установки молекулярно-лучевой эпитаксии «Катунь» для синтеза полупроводниковых гетероструктур
Назначение разработки, решаемые задачи: Предназначен для роста эпитаксиальных структур на основе GaAs, Ge, Si и др. Импортозамещение
Стадия разработки: Опытное или мелкосерийное производство
Обеспеченность сырьём и комплектующими: Поставки из Германии, Японии, США, Бельгии, Китая
Обеспеченность научным и другим оборудованием: Обеспечены
Наличие инжиниринговой проработки и зарегистрированных РИД: Имеются
Контактная информация:
630090, г. Новосибирск, пр. Ак. Лаврентьева, 13
Телефон: +7(383) 330-90-55, Факс: +7(383) 333-27-71