Исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
Наименование разработки: Дифрактометр быстрых электронов для установок молекулярно-лучевой эпитаксии
Назначение разработки, решаемые задачи: Дифрактометр быстрых электронов (ДБЭ) служит для неразрушающего контроля растущего эпитаксиального слоя для анализа кристаллического и морфологического состояния поверхности в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии
Стадия разработки: Опытное или мелкосерийное производство
Обеспеченность сырьём и комплектующими: Поставки из Германии, США, Китая
Обеспеченность научным и другим оборудованием: Обеспечены
Наличие инжиниринговой проработки и зарегистрированных РИД: Имеются
Контактная информация:
630090, г. Новосибирск, пр. Ак. Лаврентьева, 13
Телефон: +7(383) 330-90-55, Факс: +7(383) 333-27-71